|
| MOQ: | 1セット |
| 価格: | negotiable |
| 標準パッケージ: | PE BAG+のカートン |
| 配達期間: | 5-10日 |
| 決済方法: | T/T、L/C、Paypal |
| 供給能力: | 1000sets/day |
JY12M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル30V MOSFET
概説
JY12MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである
高い細胞密度DMOSの堀の技術を使用して作り出される。高密度これ
プロセスは特にオン州の抵抗を最小にするために合う。これらの装置はある
携帯電話およびノートのような低電圧の適用に特に適されて
コンピュータ力管理および他の電池式回路高側
切換えおよび低いインライン電源切れは非常に小さい輪郭の表面で必要である
台紙のパッケージ。
特徴
| 装置 | RDS （） MAX | IDMAX （25ºC） |
| N-Channel | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| P-Channel | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●低い入れられたキャパシタンス
●速い切り替え速度
適用
●力管理
●DC/DCのコンバーター
●DCの運動制御
●LCD TV及びモニターの表示インバーター
●CCFLインバーター
絶対最高評価（通知がなければTa=25ºC）
| 変数 | 記号 | Nチャネル | Pチャネル | 単位 | |||
| 10秒 | 安定した | 10秒 | 安定した | ||||
| 源の電圧を流出させなさい | VDSS | 30 | -30 | V | |||
| ゲート源電圧 | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| 連続的 現在を流出させなさい |
Ta=25 ºC | ID | 8.5 | 6.5 | -7.0 | -5.3 | |
| Ta=70 ºC | 6.8 | 5.1 | -5.5 | -4.1 | |||
| 脈打った下水管の流れ | IDM | 30 | -30 | ||||
| 最高力 消滅 |
Ta=25 ºC | PD | 1.5 | W | |||
| Ta=70 ºC | 0.95 | ||||||
| 作動の接続点 温度 |
TJ | -55から150 | ºC | ||||
| 熱抵抗 包囲されたへの接続点 |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
| 熱抵抗 包装するべき接続点 |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | |
| 空電 | |||||||
| VGS （Th） | ゲートの境界 電圧 |
VDS =VGS、ID =250UA | N CH | 1.0 | 1.5 | 3.0 | V |
| VDS =VGS、ID =-250UA | P CH | -1.0 | -1.5 | -3.0 | |||
| IGSS | ゲートの漏出 現在 |
VDS =0V、VGS =±20V | N CH | ±100 | nA | ||
| P CH | ±100 | ||||||
| IDSS | ゼロ ゲートの電圧 現在を流出させなさい |
VDS =30V、VGS =0V | N CH | 1 | uA | ||
| VDS =-30V、VGS =0V | P CH | -1 | |||||
| ID （） | オン州の下水管 現在 |
VDS ≥5V、VGS =10V | N CH | 20 | |||
| VDS ≤-5V、VGS =-10V | P CH | -20 | |||||
| RDS （） | 下水管源 オン州 抵抗 |
VGS =10V、ID =7.4A | N CH | 15 | 20 | mΩ | |
| VGS =-10V、ID =-5.2A | P CH | 38 | 45 | ||||
| VGS =4.5V、ID =6.0A | N CH | 23 | 32 | ||||
| VGS =-4.5V、ID =-4.0A | P CH | 65 | 85 | ||||
| VSD | 前方ダイオード 電圧 |
=1.7A、VGS =0Vはある | N CH | 0.8 | 1.2 | V | |
| =-1.7A、VGS =0Vはある | P CH | -0.8 | -1.2 |
ダウンロードJY12Mの利用者マニュアル
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| MOQ: | 1セット |
| 価格: | negotiable |
| 標準パッケージ: | PE BAG+のカートン |
| 配達期間: | 5-10日 |
| 決済方法: | T/T、L/C、Paypal |
| 供給能力: | 1000sets/day |
JY12M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル30V MOSFET
概説
JY12MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである
高い細胞密度DMOSの堀の技術を使用して作り出される。高密度これ
プロセスは特にオン州の抵抗を最小にするために合う。これらの装置はある
携帯電話およびノートのような低電圧の適用に特に適されて
コンピュータ力管理および他の電池式回路高側
切換えおよび低いインライン電源切れは非常に小さい輪郭の表面で必要である
台紙のパッケージ。
特徴
| 装置 | RDS （） MAX | IDMAX （25ºC） |
| N-Channel | 20mΩ@VGS=10V | 8.5A |
| 32mΩ@VGS=4.5V | 7.0A | |
| P-Channel | 45mΩ@VGS=-10V | -5.5A |
| 85mΩ@VGS=-4.5V | -4.1A |
●低い入れられたキャパシタンス
●速い切り替え速度
適用
●力管理
●DC/DCのコンバーター
●DCの運動制御
●LCD TV及びモニターの表示インバーター
●CCFLインバーター
絶対最高評価（通知がなければTa=25ºC）
| 変数 | 記号 | Nチャネル | Pチャネル | 単位 | |||
| 10秒 | 安定した | 10秒 | 安定した | ||||
| 源の電圧を流出させなさい | VDSS | 30 | -30 | V | |||
| ゲート源電圧 | VDSS | ±20 | ±20 | ||||
| 連続的 現在を流出させなさい |
Ta=25 ºC | ID | 8.5 | 6.5 | -7.0 | -5.3 | |
| Ta=70 ºC | 6.8 | 5.1 | -5.5 | -4.1 | |||
| 脈打った下水管の流れ | IDM | 30 | -30 | ||||
| 最高力 消滅 |
Ta=25 ºC | PD | 1.5 | W | |||
| Ta=70 ºC | 0.95 | ||||||
| 作動の接続点 温度 |
TJ | -55から150 | ºC | ||||
| 熱抵抗 包囲されたへの接続点 |
RθJA | 61 | 100 | 62 | 103 | ºC/W | |
| 熱抵抗 包装するべき接続点 |
RθJC | 15 | 15 | ºC/W |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | |
| 空電 | |||||||
| VGS （Th） | ゲートの境界 電圧 |
VDS =VGS、ID =250UA | N CH | 1.0 | 1.5 | 3.0 | V |
| VDS =VGS、ID =-250UA | P CH | -1.0 | -1.5 | -3.0 | |||
| IGSS | ゲートの漏出 現在 |
VDS =0V、VGS =±20V | N CH | ±100 | nA | ||
| P CH | ±100 | ||||||
| IDSS | ゼロ ゲートの電圧 現在を流出させなさい |
VDS =30V、VGS =0V | N CH | 1 | uA | ||
| VDS =-30V、VGS =0V | P CH | -1 | |||||
| ID （） | オン州の下水管 現在 |
VDS ≥5V、VGS =10V | N CH | 20 | |||
| VDS ≤-5V、VGS =-10V | P CH | -20 | |||||
| RDS （） | 下水管源 オン州 抵抗 |
VGS =10V、ID =7.4A | N CH | 15 | 20 | mΩ | |
| VGS =-10V、ID =-5.2A | P CH | 38 | 45 | ||||
| VGS =4.5V、ID =6.0A | N CH | 23 | 32 | ||||
| VGS =-4.5V、ID =-4.0A | P CH | 65 | 85 | ||||
| VSD | 前方ダイオード 電圧 |
=1.7A、VGS =0Vはある | N CH | 0.8 | 1.2 | V | |
| =-1.7A、VGS =0Vはある | P CH | -0.8 | -1.2 |
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