|
| MOQ: | 1セット |
| 価格: | negotiable |
| 標準パッケージ: | PE BAG+のカートン |
| 配達期間: | 5-10日 |
| 決済方法: | T/T、L/C、Paypal |
| 供給能力: | 1000sets/day |
JY13M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル40V MOSFET
概説
JY13MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである
優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供できるかどれが。補足
MOSFETsはH橋、インバーターおよび他の適用で使用されるかもしれない。
特徴
| 装置 | VBR （DSS） | RDS （） MAX TJ =25ºC | パッケージ |
| N-Channel | 40V | <30m>GS=10V、ID=12A | TO252-4L |
| <40m>GS=4.5V、ID=8A | |||
| P-Channel | -40V | <45m>GS=-10V、ID=-12A | |
| <66m>GS=-4.5V、ID=-8A |
●低い入れられたキャパシタンス
●速い切り替え速度
絶対最高評価（通知がなければTa=25ºC）
| 変数 | 記号 | Nチャネル | Pチャネル | 単位 | |
| 源の電圧を流出させなさい | VDSS | 40 | -40 | V | |
| ゲート源電圧 | VDSS | ±20 | ±20 | ||
| 連続的 現在を流出させなさい |
Ta=25ºC | ID | 12 | -12 | |
| Ta=100ºC | 12 | -12 | |||
| 脈打った下水管の流れ | IDM | 30 | -30 | ||
| 最高力 消滅 |
Ta=25ºC | PD | 2 | W | |
| Ta=70ºC | 1.3 | ||||
| 接続点および貯蔵 温度較差 |
TJ TSTG | -55から150 | ºC | ||
| 熱抵抗 包囲されたへの接続点 |
RθJA | 10s | 25 | ºC/W | |
| 安定した | 60 | ||||
| 熱抵抗 包装するべき接続点 |
RθJC | 5.5 | 5 | ºC/W |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | |
| 空電 | |||||||
| VGS （Th） | ゲートの境界 電圧 |
VDS =VGS、ID =250UA | N CH | 1.7 | 2.5 | 3.0 | V |
| VDS =VGS、ID =-250UA | P CH | -1.7 | -2 | -3.0 | |||
| IGSS | ゲートの漏出 現在 |
VDS =0V、VGS =±20V | N CH | ±100 | nA | ||
| P CH | ±100 | ||||||
| IDSS | ゼロ ゲートの電圧 現在を流出させなさい |
VDS =40V、VGS =0V | N CH | 1 | uA | ||
| VDS =-40V、VGS =0V | P CH | -1 | |||||
| ID （） | オン州の下水管 現在 |
VDS =5V、VGS =10V | N CH | 30 | |||
| VDS =-5V、VGS =-10V | P CH | -30 | |||||
| RDS （） | 下水管源 オン州 抵抗 |
VGS =10V、ID =12A | N CH | 24 | 30 | mΩ | |
| VGS =-10V、ID =-12A | P CH | 36 | 45 | ||||
| VGS =4.5V、ID =8A | N CH | 31 | 40 | ||||
| VGS =-4.5V、ID =-8A | P CH | 51 | 66 | ||||
| VSD | 前方ダイオード 電圧 |
=1.0A、VGS =0Vはある | N CH | 0.76 | 1.0 | V | |
| =-1.0A、VGS =0Vはある | P CH | -0.76 | -1.0 |
ダウンロードJY13Mの利用者マニュアル
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| MOQ: | 1セット |
| 価格: | negotiable |
| 標準パッケージ: | PE BAG+のカートン |
| 配達期間: | 5-10日 |
| 決済方法: | T/T、L/C、Paypal |
| 供給能力: | 1000sets/day |
JY13M NおよびBLDCモーター運転者のためのPチャネル40V MOSFET
概説
JY13MはNおよびPチャネルの論理の強化モード力分野のトランジスターである
優秀なRDS （）および低いゲート充満を提供できるかどれが。補足
MOSFETsはH橋、インバーターおよび他の適用で使用されるかもしれない。
特徴
| 装置 | VBR （DSS） | RDS （） MAX TJ =25ºC | パッケージ |
| N-Channel | 40V | <30m>GS=10V、ID=12A | TO252-4L |
| <40m>GS=4.5V、ID=8A | |||
| P-Channel | -40V | <45m>GS=-10V、ID=-12A | |
| <66m>GS=-4.5V、ID=-8A |
●低い入れられたキャパシタンス
●速い切り替え速度
絶対最高評価（通知がなければTa=25ºC）
| 変数 | 記号 | Nチャネル | Pチャネル | 単位 | |
| 源の電圧を流出させなさい | VDSS | 40 | -40 | V | |
| ゲート源電圧 | VDSS | ±20 | ±20 | ||
| 連続的 現在を流出させなさい |
Ta=25ºC | ID | 12 | -12 | |
| Ta=100ºC | 12 | -12 | |||
| 脈打った下水管の流れ | IDM | 30 | -30 | ||
| 最高力 消滅 |
Ta=25ºC | PD | 2 | W | |
| Ta=70ºC | 1.3 | ||||
| 接続点および貯蔵 温度較差 |
TJ TSTG | -55から150 | ºC | ||
| 熱抵抗 包囲されたへの接続点 |
RθJA | 10s | 25 | ºC/W | |
| 安定した | 60 | ||||
| 熱抵抗 包装するべき接続点 |
RθJC | 5.5 | 5 | ºC/W |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 | |
| 空電 | |||||||
| VGS （Th） | ゲートの境界 電圧 |
VDS =VGS、ID =250UA | N CH | 1.7 | 2.5 | 3.0 | V |
| VDS =VGS、ID =-250UA | P CH | -1.7 | -2 | -3.0 | |||
| IGSS | ゲートの漏出 現在 |
VDS =0V、VGS =±20V | N CH | ±100 | nA | ||
| P CH | ±100 | ||||||
| IDSS | ゼロ ゲートの電圧 現在を流出させなさい |
VDS =40V、VGS =0V | N CH | 1 | uA | ||
| VDS =-40V、VGS =0V | P CH | -1 | |||||
| ID （） | オン州の下水管 現在 |
VDS =5V、VGS =10V | N CH | 30 | |||
| VDS =-5V、VGS =-10V | P CH | -30 | |||||
| RDS （） | 下水管源 オン州 抵抗 |
VGS =10V、ID =12A | N CH | 24 | 30 | mΩ | |
| VGS =-10V、ID =-12A | P CH | 36 | 45 | ||||
| VGS =4.5V、ID =8A | N CH | 31 | 40 | ||||
| VGS =-4.5V、ID =-8A | P CH | 51 | 66 | ||||
| VSD | 前方ダイオード 電圧 |
=1.0A、VGS =0Vはある | N CH | 0.76 | 1.0 | V | |
| =-1.0A、VGS =0Vはある | P CH | -0.76 | -1.0 |
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