|
| MOQ: | 1セット |
| 価格: | negotiable |
| 標準パッケージ: | PE BAG+のカートン |
| 配達期間: | 5-10日 |
| 決済方法: | T/T、L/C、Paypal |
| 供給能力: | 1000sets/day |
BLDCモーター運転者のためのJY14M Nチャネルの強化モード力MOSFET
概説
JY14Mは高い細胞を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用する
密度は高く反復的ななだれの評価のオン抵抗を減らし。これら
特徴はこの設計に非常に有効な、信頼できる装置をのためのするために結合する
力の切換えの適用および他のいろいろ適用の使用。
特徴
●40V/200A、RDS （） =2.5MΩ@VGS=10V
●速い切換えおよび逆ボディ回復
●十分になだれの電圧および流れを特徴付けた
●よい熱放散のための優秀なパッケージ
適用
●転換の適用
●懸命に転換された高周波回路
●インバーター システムのための力管理
絶対最高評価（通知がなければTc=25ºC）
| 記号 | 変数 | 限界 | 単位 | |
| VDS | 下水管源の電圧 | 40 | V | |
| VGS | ゲート源の電圧 | ± 20 | V | |
| ID | 連続的な下水管 現在 |
Tc=25ºC | 200 | |
| Tc=100ºC | 130 | |||
| IDM | 脈打った下水管の流れ | 720 | ||
| PD | 最高の電力損失 | 210 | W | |
| TJ TSTG | 作動の接続点および保管温度 範囲 |
-55から+175 | ºC | |
| RθJC | 包装するべき熱抵抗接続点 | 0.65 | ºC/W | |
| RθJA | 包囲されたへの熱抵抗接続点 | 62 |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 |
| 静特性 | ||||||
| BVDSS | 下水管源 絶縁破壊電圧 |
VGS =0V、IDS =250UA | 40 | V | ||
| IDSS | ゼロ ゲートの電圧 現在を流出させなさい |
VDS =100V、VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | ゲート ボディ漏出 現在 |
VGSの=± 20V、VDS =0V | ± 100 | nA | ||
| VGS （Th） | ゲートの境界 電圧 |
VDS = VGS、IDS =250UA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| RDS （） | 下水管源 オン州の抵抗 |
VGS =10V、IDS =60A | 2.5 | mΩ | ||
| gFS | Forward 相互コンダクタンス |
VDS =20V、IDS =60A | 100 | S |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 |
| 下水管源のダイオード特徴 | ||||||
| VSD | 前方ダイオード 電圧 |
VGS =0V、ISD =100A | 1.2 | V | ||
| Trr | 逆の回復時間 | ISD =100A di/dt=100A/us |
38 | ns | ||
| Qrr | 逆の回復充満 | 58 | NC | |||
| 動特性 | ||||||
| RG | ゲートの抵抗 | VGS =0V、VDS =0V、 f=1MHZ |
1.2 | Ω | ||
| Td （） | Turn-on遅れ時間 | VDS =20V、RG =6Ω、 IDS =100A、 VGS =10V、 |
34 | ns | ||
| Tr | Turn-on上昇時間 | 22 | ||||
| Td （） | Turn-off遅れ時間 | 48 | ||||
| Tf | Turn-off落下時間 | 60 | ||||
| CISS | 入れられたキャパシタンス | VGS =0V、 VDS =20V、 f=1.0MHz |
5714 | pF | ||
| COSS | 出力キャパシタンス | 1460 | ||||
| CRSS | 逆の移動 キャパシタンス |
600 | ||||
| Qg | 総ゲート充満 | VDS =30V、ID =100A、 VGS =10V |
160 | NC | ||
| Qgs | ゲート源充満 | 32 | ||||
| Qgd | ゲート下水管充満 | 58 |
ダウンロードJY14Mの利用者マニュアル
ビデオ
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| MOQ: | 1セット |
| 価格: | negotiable |
| 標準パッケージ: | PE BAG+のカートン |
| 配達期間: | 5-10日 |
| 決済方法: | T/T、L/C、Paypal |
| 供給能力: | 1000sets/day |
BLDCモーター運転者のためのJY14M Nチャネルの強化モード力MOSFET
概説
JY14Mは高い細胞を達成するのに最も最近の堀の加工の技巧を利用する
密度は高く反復的ななだれの評価のオン抵抗を減らし。これら
特徴はこの設計に非常に有効な、信頼できる装置をのためのするために結合する
力の切換えの適用および他のいろいろ適用の使用。
特徴
●40V/200A、RDS （） =2.5MΩ@VGS=10V
●速い切換えおよび逆ボディ回復
●十分になだれの電圧および流れを特徴付けた
●よい熱放散のための優秀なパッケージ
適用
●転換の適用
●懸命に転換された高周波回路
●インバーター システムのための力管理
絶対最高評価（通知がなければTc=25ºC）
| 記号 | 変数 | 限界 | 単位 | |
| VDS | 下水管源の電圧 | 40 | V | |
| VGS | ゲート源の電圧 | ± 20 | V | |
| ID | 連続的な下水管 現在 |
Tc=25ºC | 200 | |
| Tc=100ºC | 130 | |||
| IDM | 脈打った下水管の流れ | 720 | ||
| PD | 最高の電力損失 | 210 | W | |
| TJ TSTG | 作動の接続点および保管温度 範囲 |
-55から+175 | ºC | |
| RθJC | 包装するべき熱抵抗接続点 | 0.65 | ºC/W | |
| RθJA | 包囲されたへの熱抵抗接続点 | 62 |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 |
| 静特性 | ||||||
| BVDSS | 下水管源 絶縁破壊電圧 |
VGS =0V、IDS =250UA | 40 | V | ||
| IDSS | ゼロ ゲートの電圧 現在を流出させなさい |
VDS =100V、VGS =0V | 1 | uA | ||
| IGSS | ゲート ボディ漏出 現在 |
VGSの=± 20V、VDS =0V | ± 100 | nA | ||
| VGS （Th） | ゲートの境界 電圧 |
VDS = VGS、IDS =250UA | 2.0 | 3.0 | 4.0 | V |
| RDS （） | 下水管源 オン州の抵抗 |
VGS =10V、IDS =60A | 2.5 | mΩ | ||
| gFS | Forward 相互コンダクタンス |
VDS =20V、IDS =60A | 100 | S |
電気特徴（通知がなければTa=25ºC）
| 記号 | 変数 | 条件 | 分 | タイプ | 最高 | 単位 |
| 下水管源のダイオード特徴 | ||||||
| VSD | 前方ダイオード 電圧 |
VGS =0V、ISD =100A | 1.2 | V | ||
| Trr | 逆の回復時間 | ISD =100A di/dt=100A/us |
38 | ns | ||
| Qrr | 逆の回復充満 | 58 | NC | |||
| 動特性 | ||||||
| RG | ゲートの抵抗 | VGS =0V、VDS =0V、 f=1MHZ |
1.2 | Ω | ||
| Td （） | Turn-on遅れ時間 | VDS =20V、RG =6Ω、 IDS =100A、 VGS =10V、 |
34 | ns | ||
| Tr | Turn-on上昇時間 | 22 | ||||
| Td （） | Turn-off遅れ時間 | 48 | ||||
| Tf | Turn-off落下時間 | 60 | ||||
| CISS | 入れられたキャパシタンス | VGS =0V、 VDS =20V、 f=1.0MHz |
5714 | pF | ||
| COSS | 出力キャパシタンス | 1460 | ||||
| CRSS | 逆の移動 キャパシタンス |
600 | ||||
| Qg | 総ゲート充満 | VDS =30V、ID =100A、 VGS =10V |
160 | NC | ||
| Qgs | ゲート源充満 | 32 | ||||
| Qgd | ゲート下水管充満 | 58 |
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