力MOSFETおよびIGBTのための高速ゲートの運転者IC JY21Lの最適制御

JY21L

高低の側面の運転者

概説

プロダクトはP-SUB P-EPIプロセスに基づく高圧の、高速力MOSFETおよびIGBTの運転者である。浮遊チャネルの運転者が150Vまで作動するIGBTか2つのN-channel力MOSFETを独自に運転するのに使用することができる。論理の入力は3.3V論理に標準的なCMOSまたはLSTTLの出力と互換性がある。出力運転者は最低の運転者の十字の伝導のために設計されている高い脈拍の現在の緩衝段階を特色にする。伝搬遅延は高周波適用の使用を簡単にするために一致する。 より多くの細部をここにかちりと鳴る得なさい。

特徴

●互換性がある3.3V論理
●+150Vに完全に機能した
●ブートストラップ操作のために設計されている浮遊チャネル
●5.5Vからの20Vへのゲート ドライブ供給の範囲
●出力源/流しの現在の機能450mA/850mA
●すべての地勢学を収容する独立した論理の入力
●能力対否定的な-5V
●両方のチャネルのための一致させた伝搬遅延

適用

●力MOSFETまたはIGBTの運転者
●小さく、medium-powerモーター運転者

パッケージおよび適用回路

Pinの記述

機能ブロック ダイヤグラム