JY213Lの力MOSFETおよびIGBT装置のための高速ゲートの運転者

JY213Lの3つの独立した出力チャネルが付いている力MOSFETおよびIGBT装置のための高速ゲートの運転者

記述

JY213Lは力MOSFETおよびIGBT装置のために合う高速3-phaseゲートの運転者である。この高度の運転者は3つの独立した出力チャネルを、特色にし高低の側面は参照し、最適制御を保障する。シュートによる作り付けの不感時間によってそして保護、それは潜在的な損傷を防ぐ半橋を保護する。UVLO回路は低い境界の電圧状態の間に機能不全を防ぐことによって信頼できる操作を保障する。技術を取り消す起工高圧BCDプロセスおよび共通モード騒音を利用してこの運転者は例外的で否定的で一時的な電圧許容を表わしている間高いdV/dtの騒音のシナリオの安定性を維持する。さらに、ピンを可能にし待機モードを可能にし、低い静止現状を書き入れるように破片がし、電池の長寿を高める。JY213Lの高速ゲートの運転者との経験の並ぶものがない性能そして不変の信頼性。 より多くの細部をここにかちりと鳴る得なさい。

特徴

•統合された90V半橋高い側面の運転者
•3-phase半橋ゲートに運転する能力
•各々の高い側面チャネルのための作り付けのブーツの革紐のダイオード
•作り付けの不感時間の保護
•保護シュートによって
•VCCおよびVBSのための電圧閉鎖の下
•VCCおよびVBSのための低い操作の電圧0-5.5V
•互換性がある3.3Vおよび5V入力論理
•低いスタンバイの流れのためのピン（EN）を可能にしなさい
•IO+/IO-:VCC=15V、VBS=15Vの+1.2A/-2.0A
•作り付けの不感時間:0.5us （タイプ。）
•共通モードdV/dt騒音の取り消し回路
•否定的で一時的な電圧に対して耐久性がある
•よりよいノイズ耐性のための低いdI/dtのゲート ドライブ
•– 125ºC動作範囲への40ºC
•小さい足跡のパッケージ:TSSOP20L/24L、173mil

適用

•E-BIKE/電力用具3-phaseモーター運転者
•電池式の小型/マイクロ運動制御
•一般目的インバーター

ブロック ダイヤグラム

典型的なappication回路

Pin構成