インバーター システムのためのJY11M Nチャネルの強化モード力MOSFET 100V/110A

JY11M

Nチャネルの強化モード力MOSFET

高度の堀の加工の技巧を組み込むことによって、JY11Mは驚くべき細胞密度、同時に最小になるオン抵抗および高く反復的ななだれの評価を自慢することを達成する。これらの属性の集中性はこの設計を力の転換の適用のために、また他の使用場合の多様な範囲のために特別に有効、信頼できるする。 より多くの細部をここにかちりと鳴る得なさい。

概説

JY11Mは高度の堀の加工の技巧を織込んでいる最先端の半導体デバイスである。この革新的な設計は効果的にオン抵抗を減らし、高く反復的ななだれの評価を達成する驚くべき細胞密度を、達成する。これらの顕著な特徴は他の使用場合のJY11M力の転換の適用のために特別に有効、信頼できるように、また多様な範囲をする。

100Vの電圧評価および110Aの現在の評価によって、JY11Mは優秀な性能を提供する。それは低いオン抵抗（RDS自慢する（））を10Vのゲート源の電圧（VGS）の6.5mΩの、有効な力の切換え操作を保障する。装置はまた速い切換えおよび逆ボディ回復を特色にし、速く、有効な転換操作を可能にする。

さらに、JY11Mはなだれ電圧の点では十分に現在特徴付けられ、信頼できる操作を厳しい状況下で保障する。その優秀なパッケージ・デザインは有効熱の消滅を促進し、装置の全面的な信頼性そして長寿を高める。

要約すると、JY11Mは高い細胞密度、最小にされたオン抵抗および高く反復的ななだれの評価を結合する高度の半導体である。これらの質はそれに力の転換の適用のための、また強い性能が要求される他のいろいろな使用場合のための特別に有効な、信頼できる選択をする。

特徴

●100V/110A、RDS （） =6.5MΩ@VGS=10V
●速い切換えおよび逆ボディ回復
●十分になだれの電圧および流れを特徴付けた
●よい熱放散のための優秀なパッケージ

適用
 

●転換の適用
●懸命に転換された高周波回路
●インバーター システムのための力管理

PINの記述

パッケージの輪郭に220 3

映像