JY12M Nおよびインバーターのための速い切り替え速度のP Chennel 30V MOSFET

JY12M Nおよびインバーター塗布のための速い切り替え速度のP Chennel 30V MOSFET

概説

JY12MはタイプのNおよびPチャネルの論理の強化モード両方で設計されている力分野のトランジスターである。これらのトランジスターは優秀なパフォーマンス特性を可能にする高い細胞密度DMOSの堀の技術を使用して製造される。製作の技術の高密度プロセスはとりわけ高められた効率をもたらすオン州の抵抗を最小にするために最大限に活用される。

これらの力トランジスターは携帯電話、ノート パソコンおよび他の電池式回路の力管理のような低電圧の適用のために特にうってつけ、である。彼らは高側の転換および最低の電源切れが重大な条件である状態で勝る。さらに、JY12Mは非常に小さい輪郭の表面の台紙のパッケージで設計され、電子システムに密集した、スペース有効な統合を可能にする。

要約すると、JY12M力分野のトランジスターは減らされたオン州の抵抗に終って高い細胞密度DMOSの堀の技術を、利用する。それらは有効な高側の切換えおよび最低の電源切れが必要のシナリオの低電圧の適用のために非常に適している、特に。それ以上の密集した表面の台紙のパッケージは多様性および統合の機能を高める。

データ用紙: JY12M.pdf

特徴

●低い入れられたキャパシタンス

●速い切り替え速度

適用

●力管理

●DC/DCのコンバーター

●DCの運動制御

●LCD TV及びモニターの表示インバーター

●CCFLインバーター

PIN構成

SOP-9パッケージの輪郭

映像